Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур

Автор:
Жанры:
Электроника; Монографии
Агент:
Литагент НИТУ «МИСиС»
Формат:
PDF книга
Объем:
364 стр
Язык книги:
русский
Год написания:
2011
Аннотация:

Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.

Другие произведения автора - Алексея Ковалева 3
Гетероструктурная наноэлектроника (Ковалев Алексей Николаевич)
ru
Ковалев Алексей Николаевич
Физика и технология наноструктурных гетерокомпозиций (Ковалев Алексей Николаевич, Рабинович Олег Игоревич, Тимошина Маргарита Игоревна)
ru
Ковалев Алексей Николаевич, Рабинович Олег Игоревич, Тимошина Маргарита Игоревна
Твердотельная электроника (Ковалев Алексей Николаевич)
ru
Ковалев Алексей Николаевич

Оставьте свой отзыв!

Ещё никто не оставлялсвой отзыв. Будьте первым!